| 发明名称 | 抛光垫以及抛光半导体晶片的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种抛光半导体晶片的方法，其中，在第一步中，通过包含粒径为0.1-1.0μm的固着磨料的抛光垫并在供应不含固体材料的pH值为至少11.8的抛光剂的情况下抛光所述半导体晶片的背面，以及，在第二步中，抛光该半导体晶片的正面，其中供应pH值小于11.8的抛光剂。还涉及一种用于抛光半导体晶片的设备中的抛光垫，其包含含磨料层、由硬塑料构成层以及顺应无纺层，其中通过压敏粘合剂层将上述这些层彼此粘合。 | ||
| 申请公布号 | CN101927455B | 申请公布日期 | 2013.06.19 |
| 申请号 | CN201010158651.5 | 申请日期 | 2010.04.07 |
| 申请人 | 硅电子股份公司 | 发明人 | J·施万德纳;R·柯普尔特 |
| 分类号 | B24B37/04(2012.01)I;C09G1/02(2006.01)I;B24B37/14(2012.01)I;H01L21/304(2006.01)I | 主分类号 | B24B37/04(2012.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 过晓东 |
| 主权项 | 一种抛光半导体晶片的方法，其中，在第一步中，通过包含粒径为0.1‑1.0μm的固着磨料的抛光垫并在供应不含固体材料的pH值为至少11.8的抛光剂的情况下抛光所述半导体晶片的背面，以及，在第二步中，抛光该半导体晶片的正面，其中供应pH值小于11.8的抛光剂，其中在第一步中所述抛光剂是化合物碳酸钠(Na2CO3)、碳酸钾(K2CO3)、氢氧化钠(NaOH)、氢氧化钾(KOH)、氢氧化铵(NH4OH)、氢氧化四甲铵(TMAH)或它们任何期望的混合物的水溶液。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||