| 发明名称 | 半导体结构及半导体结构的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体结构及半导体结构的形成方法，所述半导体结构的形成方法包括：提供基底，位于所述基底上的层间介质层，所述层间介质层内形成有至少两个分立的金属互连结构；利用无电镀工艺形成覆盖所述金属互连结构表面的阻挡层；以所述阻挡层为掩膜，对不同金属互连结构之间的层间介质层进行干法刻蚀，形成第一沟槽；以所述阻挡层为掩膜，对所述第一沟槽侧壁的层间介质层进行刻蚀，形成第二沟槽，所述第二沟槽的宽度大于所述第一沟槽的宽度；在所述层间介质层和阻挡层表面形成横跨所述第二沟槽开口的绝缘层。所述第二沟槽的开口宽度较小，而位于层间介质层内的宽度较大，既能降低层间介质层的介电常数，又有助于形成横跨空气间隙开口的绝缘层。 | ||
| 申请公布号 | CN103165522A | 申请公布日期 | 2013.06.19 |
| 申请号 | CN201110422109.0 | 申请日期 | 2011.12.15 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 何其旸 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，位于所述基底上的层间介质层，所述层间介质层内形成有至少两个分立的金属互连结构；利用无电镀工艺形成覆盖所述金属互连结构表面的阻挡层；以所述阻挡层为掩膜，对不同金属互连结构之间的层间介质层进行干法刻蚀，直到暴露出所述基底，形成第一沟槽；以所述阻挡层为掩膜，对所述第一沟槽侧壁的层间介质层进行刻蚀，形成第二沟槽，所述第二沟槽的宽度大于所述第一沟槽的宽度；在所述层间介质层和阻挡层表面形成横跨所述第二沟槽开口的绝缘层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||