互连结构的制造方法

摘要

一种互连结构的制造方法，包括：提供衬底，在所述衬底上形成低介电常数介质层；用氨气等离子体对所述低介电常数介质层表面进行轰击，在所述低介电常数介质层表面形成遮挡层；在所述遮挡层上依次形成保护层和含有掩模图形的掩模层；以所述含有掩模图形的掩模层为掩模进行第一次刻蚀，至剩余部分保护层；对所述保护层进行回刻；以所述含有掩模图形的掩模层为掩模进行第二次刻蚀，至暴露出所述衬底，形成沟槽；在所述沟槽中沉积金属材料，形成金属互连线。本发明互连结构的制造方法在沟槽中填充金属材料之前，通过回刻工艺增大沟槽的开口宽度，减小沟槽的深宽比，避免在金属互连线内形成空洞，提高包含所述互连结构的半导体器件的电学特性。

主权项

一种互连结构的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底，在所述衬底上形成低介电常数介质层；用氨气等离子体对所述低介电常数介质层表面进行轰击，在所述低介电常数介质层表面形成遮挡层；在所述遮挡层上依次形成保护层和含有掩模图形的掩模层；以所述含有掩模图形的掩模层为掩模进行第一次刻蚀，至剩余部分保护层；对所述保护层进行回刻；以所述含有掩模图形的掩模层为掩模进行第二次刻蚀，至暴露出所述衬底，形成沟槽；在所述沟槽中沉积金属材料，形成金属互连线。