电化学和固体硫化法在基片上制备CuInS₂的方法

摘要

本发明涉及一种采用常规电化学方法:在Ni基片上先后生长成薄的铜层和铟层，然后加热150～320℃进行30～40min的合金化和固体硫化处理，最终得到CuInS2薄膜。通过用X射线衍射图谱和矿物（PDF）卡比较，有CulnS2薄膜呈黄铁矿结构相特征衍射峰。CuInS2薄膜组分的摩尔比即S/(Cu+In)为2～2.5。它为P型导电类型的深褐色的CuInS2薄膜。该方法操作简单，绿色环保，易于实现工业化生产。

主权项

一种电化学和固体硫化法在基片上制备CuInS2薄膜的方法，其特征在于该方法具有以下的工艺过程和步骤：a．将纯度99.9～99.99 % 衬底Ni基片和99.999%Cu片放置到0.78～0.80M的CuSO4和0.046～0.048M H2SO4混合溶液中，使用YJ63直流稳压稳流电源通电流20～30mA ，经40～60秒，制备前期样片；b．将纯度99.9～99.99%In片和上述前期样片放置到0.086～0.088M的In2（SO4）3和0.030～0.032M 的Na2SO4混合溶液中，用电化学方法在15～35℃温度下，通电流10～20mA ，经60～80秒，制备得CuIn薄膜样片；c．将上述制备出的CuIn样片和99.5%的粉末S放入箱式电炉中，加热150～320℃，进行30～40min的合金化和固体硫化处理，最终在Ni基片制得CuInS2薄膜。