| 发明名称 | 一种碳化硅温度传感器 | ||
| 摘要 | 本实用新型公开了一种碳化硅温度传感器，包括由N型SiC基片构成的衬底和设置在衬底上部的N型SiC外延层，N型SiC外延层上部中间位置处设置有圆形的肖特基接触电极，N型SiC外延层上位于肖特基接触电极的外侧设置有圆环形的N型SiC欧姆接触掺杂区，N型SiC欧姆接触掺杂区上部设置有圆环形的欧姆接触电极，N型SiC欧姆接触掺杂区、欧姆接触电极和肖特基接触电极同心设置，位于欧姆接触电极与肖特基接触电极之间的N型SiC外延层上部，以及位于欧姆接触电极外围的N型SiC外延层上部均设置有二氧化硅层。本实用新型设计新颖合理，线性度和封装密度好，有利于集成，工作可靠性高，实用性强，应用范围广，推广应用价值高。 | ||
| 申请公布号 | CN203011560U | 申请公布日期 | 2013.06.19 |
| 申请号 | CN201220734974.9 | 申请日期 | 2012.12.27 |
| 申请人 | 长安大学 | 发明人 | 张林;李演明;邱彦章;巨永锋 |
| 分类号 | G01K7/01(2006.01)I;H01L29/872(2006.01)I;H01L29/47(2006.01)I | 主分类号 | G01K7/01(2006.01)I |
| 代理机构 | 西安创知专利事务所 61213 | 代理人 | 谭文琰 |
| 主权项 | 一种碳化硅温度传感器，其特征在于：包括由N型SiC基片构成的衬底（1）和设置在所述衬底（1）上部的N型SiC外延层（2），所述N型SiC外延层（2）上部中间位置处设置有圆形的肖特基接触电极（5），所述N型SiC外延层（2）上位于所述肖特基接触电极（5）的外侧设置有圆环形的N型SiC欧姆接触掺杂区（3），所述N型SiC欧姆接触掺杂区（3）上部设置有圆环形的欧姆接触电极（4），所述N型SiC欧姆接触掺杂区（3）、欧姆接触电极（4）和肖特基接触电极（5）同心设置，位于所述欧姆接触电极（4）与肖特基接触电极（5）之间的N型SiC外延层（2）上部，以及位于所述欧姆接触电极（4）外围的N型SiC外延层（2）上部均设置有二氧化硅层（6）。 | ||
| 地址 | 710064 陕西省西安市南二环中段33号 | ||