| 发明名称 | 高磁导率高居里温度NiZn铁氧体材料及制备方法 | ||
| 摘要 | 高磁导率高居里温度NiZn铁氧体材料，属于铁氧体材料制备技术领域。本发明组分包括主料和掺杂剂，其特征在于：以氧化物计算，主料为：48.5～49.9mol％Fe2O3，31.0～34.0mol％ZnO，4.0～8.0mol％CuO，余量为NiO；以氧化物计算，并以主料为参考基准，按重量百分比，掺杂剂为：0.001～0.30wt％MoO3、0.001～0.20wt％V2O5、0.01～0.40wt％Bi2O3、0.001～0.05wt％Nb2O5、0.001～0.08wt％TiO2。本发明具有的高磁导率可获得低的漏感系数，有利于拓宽器件的工作频带；高居里温度可拓宽器件的工作温度范围，有利于器件在不同的环境下工作；高电阻率可避免宽带器件在MHz频段出现电子打火问题，提高系统和器件的可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN102390984B | 申请公布日期 | 2013.06.12 |
| 申请号 | CN201110215629.4 | 申请日期 | 2011.07.29 |
| 申请人 | 电子科技大学 | 发明人 | 余忠;孙科;蒋晓娜;兰中文;郭荣迪;许志勇 |
| 分类号 | C04B35/26(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I | 主分类号 | C04B35/26(2006.01)I |
| 代理机构 | 成都惠迪专利事务所 51215 | 代理人 | 刘勋 |
| 主权项 | 高磁导率高居里温度NiZn铁氧体材料，组分包括主料和掺杂剂，其特征在于：以氧化物计算，主料为：48.5～49.9mol%Fe2O3，31.0～34.0mol%ZnO，4.0～8.0mol%CuO，余量为NiO；以氧化物计算，并以主料为参考基准，按重量百分比，掺杂剂为：0.001～0.30wt%MoO3、0.001～0.20wt%V2O5、0.01～0.40wt%Bi2O3、0.001～0.05wt%Nb2O5、0.001～0.08wt%TiO2；TiO2为纳米TiO2。 | ||
| 地址 | 610000 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号 | ||