发明名称 距离传感器以及距离图像传感器
摘要 光栅极(PG),平面形状为具有彼此相对的第1和第2长边(LS1,LS2)、以及彼此相对的第1和第2短边(SS1,SS2)的长方形形状。第1以及第2半导体区域(FD1,FD2)在第1和第2长边(LS1,LS2)的相对方向上夹持光栅极(PG)而相对地配置。第3半导体区域(SR1)在第1和第2短边(SS1,SS2)的相对方向上夹持光栅极(PG)而相对地配置。第3半导体区域(SR1)使在第1和第2短边(SS1,SS2)侧的电势高于光栅极(PG)的正下方的区域中的位于第1以及第2半导体区域(FD1,FD2)之间的区域中的电势。
申请公布号 CN103155150A 申请公布日期 2013.06.12
申请号 CN201180049537.1 申请日期 2011.06.16
申请人 浜松光子学株式会社 发明人 间瀬光人;铃木高志
分类号 H01L27/146(2006.01)I;G01S17/89(2006.01)I 主分类号 H01L27/146(2006.01)I
代理机构 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人 杨琦
主权项 一种距离传感器,其特征在于:具备:电荷产生区域,对应于入射光而产生电荷,并且其平面形状是具有彼此相对的第1和第2长边、以及彼此相对的第1和第2短边的长方形形状;至少一对的信号电荷收集区域,在所述第1和第2长边的相对方向上夹持所述电荷产生区域而相对地配置,收集来自于所述电荷产生区域的信号电荷;转送电极,分别配置于所述信号电荷收集区域与所述电荷产生区域之间,且被提供不同的相位的电荷转送信号;电势调整单元,在所述第1和第2短边的相对方向上夹持所述电荷产生区域而相对地配置,使所述电荷产生区域的在所述第1和第2短边侧的电势高于所述电荷产生区域中的位于所述至少一对的信号电荷收集区域之间的区域中的电势。
地址 日本静冈县