发明名称 半导体装置的内部布线结构
摘要 提供的是功率半导体装置的内部布线结构,其中具有相同电流方向的两个布线导体被设置为彼此相对且这些布线导体之间的互感可被减少且可增加热扩散效果。两个布线导体(4a,4b)被形成为具有从平板(1a,1b)的侧壁(2a,3a,2b,3b)开始以交替方式被设置在两个平板(1a,1b)中的每一个中的槽(7a,7b)。通过平行且彼此相对地设置两个布线导体(4a,4b),从而电流(I1,I2)以彼此相反的方向沿槽(7a,7b)流动,可减少互感。还有,由于被形成为具有槽(7a,7b)的布线导体(4a,4b)的平面的面积较大,可改进热扩散。
申请公布号 CN103155147A 申请公布日期 2013.06.12
申请号 CN201280003264.1 申请日期 2012.01.25
申请人 富士电机株式会社 发明人 福田恭平
分类号 H01L25/07(2006.01)I;H01L25/18(2006.01)I;H05K1/02(2006.01)I;H02M7/48(2007.01)I 主分类号 H01L25/07(2006.01)I
代理机构 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人 张鑫
主权项 一种半导体装置的内部布线构造,所述布线构造具有第一布线导体和第二布线导体,以彼此相对并彼此平行的方式设置在壳体内且具有以相同方向从输入部分流至输出部分的电流,其中:所述第一布线导体和所述第二布线导体由平板制成;在所述第一布线导体中,沿从相对侧壁中一个侧壁平行地延伸至另一个侧壁的多条直线交替地形成第一槽,使得超过所述侧壁之间的第一中央点从所述侧壁中的一个侧壁朝所述侧壁中的另一个侧壁延伸,并且反之亦然;在所述第二布线导体中,在所述多条直线正下方交替地形成第二槽,使得超过所述侧壁之间的第二中央点从所述侧壁中的一个侧壁朝所述侧壁中的另一个侧壁延伸,并且反之亦然,所述一个侧壁位于同具有所述第一槽的所述侧壁相对的一侧上;且所述第一槽的长度等于形成在所述第一槽正下方的所述第二槽的长度,所述第一中央点和所述第二中央点彼此交迭、所述第一槽和所述第二槽部分地彼此交迭,沿所述第一槽流过所述第一布线导体的电流的方向与沿所述第二槽流过所述第二布线导体的电流的方向相反,且藉此减少了所述第一布线导体和所述第二布线导体之间的互感。
地址 日本神奈川县