制造半导体晶圆之方法

摘要

制造一半导体晶圆，系藉由照射一雷射光束到一半导体晶圆的任一面，以适配一聚焦位置到该半导体晶圆的一给定深度位置内，藉以只在该给定深度位置之该半导体晶圆的一特定部位中产生一多光子吸收处理，以形成一除气槽。