发明名称 |
半导体装置及其制造方法 |
摘要 |
一种半导体装置及其制造方法。首先,形成一第一氧化层及一氧化层于一基材上,基材具有一第一区域及一第二区域。氮化物层中包含有氮原子。其次,氧化氮化层。氮化层中一部分之氮原子系移动至第一氧化层及基材中,且氮化层之上部系转化(convert)为一上氧化层。接着,移除对应于第二区域之上氧化层、氮化层及第一氧化层。再者,成长一第二氧化层于第二区域之基材上。第二氧化层中包含有氮原子。 |
申请公布号 |
TWI398932 |
申请公布日期 |
2013.06.11 |
申请号 |
TW097107389 |
申请日期 |
2008.03.03 |
申请人 |
旺宏电子股份有限公司 新竹市新竹科学工业园区力行路16号 |
发明人 |
赖二琨;施彦豪 |
分类号 |
H01L21/8246;H01L27/112 |
主分类号 |
H01L21/8246 |
代理机构 |
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代理人 |
祁明辉 台北市信义区忠孝东路5段510号22楼之2;林素华 台北市信义区忠孝东路5段510号22楼之2 |
主权项 |
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地址 |
新竹市新竹科学工业园区力行路16号 |