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Verfahren mit: Bilden einer ersten verspannungsinduzierenden Schicht (430A) über einem ersten Bauteilgebiet (420A), das einen oder mehrere erste Transistoren aufweist; Bilden einer Pufferschicht (450) über der ersten verspannungsinduzierenden Schicht (430A); Bilden einer ersten Verspannungsverstärkungsschicht (450B) über der Pufferschicht (450), wobei die erste verspannungsinduzierende Schicht (430A) und die erste Verspannungsverstärkungsschicht (450B) eine erste Art an Verspannung hervorrufen; Entfernen eines ersten Bereichs der ersten Verspannungsverstärkungsschicht (450B) an einer ersten Position, die einer ersten Kontaktöffnung (462) entspricht, die in dem ersten Bauteilgebiet (420A) zu bilden ist, so dass eine erste Öffnung (430C) gebildet wird; Bilden eines dielektrischen Materials über der ersten Verspannungsverstärkungsschicht (450B), um einen dielektrischen Schichtstapel fertigzustellen und Bilden der ersten Kontaktöffnung durch den dielektrischen Schichtstapel an der ersten Position; und Bilden eines Kontaktelements in der ersten Kontaktöffnung mit einer lateralen Abmessung, die kleiner als eine laterale Abmessung der ersten Öffnung (430C) ist, und wobei sich das Kontaktelement durch das dielektrische Material, die erste Verspannungsverstärkungsschicht (450B), die Pufferschicht (450) und die erste verspannungsinduzierende Schicht (430A) erstreckt.
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