发明名称 LTE数字微波射频拉远覆盖系统及上行基带处理器
摘要 本实用新型公开了一种LTE数字微波射频拉远覆盖系统及上行基带处理器,用以解决现有技术中的LTE数字微波射频拉远覆盖系统存在的基站底噪被抬升的问题。所述上行基带处理器,应用于LTE数字微波射频拉远覆盖系统的远端微波传输系统,包括模数A/D转换器、数字下变频器DDC和数字上变频器DUC,载噪比Ec/Io判决电路,其中:A/D转换器,与数字下变频器DDC连接;DDC,与Ec/Io判决电路连接;Ec/Io判决电路,与DUC连接。
申请公布号 CN202979007U 申请公布日期 2013.06.05
申请号 CN201220721778.8 申请日期 2012.12.24
申请人 京信通信系统(中国)有限公司 发明人 肖田忠;柳洋;冯量
分类号 H04L25/03(2006.01)I;H04B7/15(2006.01)I 主分类号 H04L25/03(2006.01)I
代理机构 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 代理人 郭红丽
主权项 一种上行基带处理器,包括模数A/D转换器、数字下变频器DDC和数字上变频器DUC,其特征在于,该上行基带处理器应用于LTE数字微波射频拉远覆盖系统的远端微波传输系统,且该上行基带处理器还包括:载噪比Ec/Io判决电路,其中:A/D转换器,与数字下变频器DDC连接,对模拟下变频器发送来的模拟中频信号执行模数A/D转换,将得到的多个数字子频带信号发送给DDC;DDC,与Ec/Io判决电路连接,分别对各数字子频带信号执行数字下变频处理后,将得到的多个子频带基带信号作为所述Ec/Io判决电路的输入信号;Ec/Io判决电路,与DUC连接,通过比较各子频带基带信号的载噪比与预定的载噪比阈值,将载噪比大于所述载噪比阈值的子频带基带信号发送给DUC,以及关断载噪比不大于所述载噪比阈值的子频带基带信号的发送时隙;DUC对接收到的子频带基带信号执行数字上变频处理,得到相应的数字射频信号并发送给光收发器。
地址 510663 广东省广州市科学城神州路10号