发明名称 |
源漏多晶硅自对准干法刻蚀方法 |
摘要 |
本发明公开了一种源漏多晶硅自对准干法刻蚀方法,包括步骤:1)在硅衬底上制作多晶硅栅极、栅极中间的刻蚀阻挡层及栅极边墙;2)淀积源漏多晶硅;3)涂布有机底部抗反射层;4)各向同性自对准刻蚀源漏多晶硅;5)去除刻蚀阻挡层。该方法利用底部抗反射层作为掩膜,栅极中间的停止层作为刻蚀阻挡层,并利用栅极边墙隔离源漏多晶硅和栅,自对准刻蚀形成与有源区直接接触的源漏多晶硅,使接触孔得以直接落在源漏多晶硅上,而不是落在有源区上,从而缩小了有源区的面积,增加了接触孔的工艺窗口,提高了半导体器件的集成度。 |
申请公布号 |
CN103137464A |
申请公布日期 |
2013.06.05 |
申请号 |
CN201110388989.4 |
申请日期 |
2011.11.30 |
申请人 |
上海华虹NEC电子有限公司 |
发明人 |
吴智勇;孙娟 |
分类号 |
H01L21/308(2006.01)I;H01L21/8249(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/308(2006.01)I |
代理机构 |
上海浦一知识产权代理有限公司 31211 |
代理人 |
刘昌荣 |
主权项 |
源漏多晶硅自对准干法刻蚀方法,其特征在于,包括以下步骤:1)在硅衬底上制作多晶硅栅极、栅极中间的刻蚀阻挡层以及栅极边墙;2)淀积源漏多晶硅;3)在源漏多晶硅上涂布有机底部抗反射层;4)各向同性地自对准刻蚀源漏多晶硅;5)干法或湿法去除所述刻蚀阻挡层。 |
地址 |
201206 上海市浦东新区川桥路1188号 |