一种复合介电薄膜的制备方法

摘要

本发明公开了一种复合介电薄膜的制备方法，该方法以含氟聚合物和混合晶型纳米TiO2混合流延成膜。其中混晶纳米TiO2中两晶型的摩尔组分可以根据反应时间来控制：锐钛矿为36％-45％，金红石为55％-64％；复合介电薄膜质量百分比组成为：混晶纳米TiO2为5％-40％，含氟聚合物为60％-95％。这种复合介电薄膜是具有较高的介电常数，较低的介电损耗的新型介电材料。可以通过控制填料添加比例和填料晶型比例来制备所需介电常数的复合介电薄膜。该复合介电薄膜制备工艺简单、复合温度低且对环境友好，具有广泛的应用前景。

主权项

一种复合介电薄膜的制备方法，包括如下步骤：（1）通过回流法由锐钛矿、金红石两种晶型制备不同晶型比例混晶TiO2，混晶TiO2的晶型比例由回流反应时间控制，所述回流反应时间为6‑18h，所述混晶TiO2中锐钛矿和金红石两种晶型的摩尔百分比分别为：锐钛矿36%‑45%，金红石64%‑55%；（2）将步骤1制备的混晶TiO2、含氟聚合物和溶剂N,N‑二甲基甲酰胺混合后，超声搅拌分散均匀，形成稳定的溶胶，所述含氟聚合物为偏氟乙烯‑三氟乙烯共聚物、偏氟乙烯‑三氟乙烯‑氟氯乙烯共聚物、偏氟乙烯‑三氟乙烯‑三氟氯乙烯共聚物中的一种，所述混晶TiO2的质量比例为5%‑40%，含氟聚合物质量比例为95%‑60%，所述混晶TiO2和含氟聚合物总质量与N,N‑二甲基甲酰胺的质量比为1:7‑10；（3）将步骤2制备的溶胶在模具上80±1℃流延成膜，干燥18±1h，再经过自然冷却、120±1℃退火8±1h，去除残留溶剂，即得到厚度为110‑150μm的混合晶型无机纳米填料/聚合物基复合介电薄膜。