发明名称 微芯片及其制造方法
摘要 本发明涉及一种微芯片及其制造方法,该微芯片包括:多个基板,配置为充当反应的反应场的反应区,以及在反应区的外周部分上的外周路径,外周路径的内部处于对大气压的负压,其中,外周路径被设置在贴合在一起的基板中的至少一个的至少一侧上。
申请公布号 CN103127973A 申请公布日期 2013.06.05
申请号 CN201210475969.5 申请日期 2012.11.21
申请人 索尼公司 发明人 小岛健介
分类号 B01L3/00(2006.01)I 主分类号 B01L3/00(2006.01)I
代理机构 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人 余刚;吴孟秋
主权项 一种微芯片,包括:多个基板;反应区,被配置为充当反应的反应场;以及外周路径,在所述反应区的外周部分上,所述外周路径的内部处于对大气压的负压,所述外周路径被设置在贴合在一起的所述基板中至少一个的至少一侧上。
地址 日本东京