基于快闪存储器结构的光敏可控器件

摘要

基于快闪存储器结构NMOSFET光敏可控器件，包括p型半导体衬底，衬底上设有n型重掺杂的源区和漏区，衬底上依次为隧穿氧化层、电荷存储层、阻挡氧化层和控制栅极，组成快闪存储器结构的NMOSFET光敏可控器件，阻挡氧化层和控制栅极为透明电极。隧穿氧化层厚度约为7nm至10nm，电荷存储层为多晶硅材料，其厚度约为100nm，阻挡氧化层为二氧化硅/氮化硅/二氧化硅三层结构，其厚度分别约为4nm/10nm/5nm，控制栅为多晶硅材料，厚度约为200nm，栅极长度约为0.16微米，宽度约为0.18微米。工作在电信号增大模式下时，首先对光敏器件进行擦除操作，使擦除后光敏器件阈值电压小于其初始阈值，也可工作在电信号减小模式。

主权项

基于快闪存储器结构NMOSFET光敏可控器件，其特征是包括p型半导体衬底101，衬底上设有n型重掺杂的源区102和漏区103，衬底上依次为隧穿氧化层104、电荷存储层105、阻挡氧化层106和控制栅极107，组成快闪存储器结构的NMOSFET光敏可控器件，阻挡氧化层106和控制栅极107为透明电极。