非挥发性半导体储存装置和其制造方法

摘要

本发明的目的在于提供一种能够以低电压且高效率进行写入，并且优越于电荷保持特性的非挥发性半导体储存装置以及其制造方法。该非挥发性半导体储存装置包括：具有彼此相分离而形成的一对杂质区和设置在该杂质区之间的通道形成区的半导体膜；设置在通道形成区的上方的第一绝缘膜、电荷累积层、第二绝缘膜、当成闸极电极层的导电膜。在非挥发性半导体储存装置中，和由对抗半导体膜的电荷的第一绝缘膜形成的第一阻障相比，由对抗电荷累积层的电荷的第一绝缘膜形成的第二阻障的能量高。