发明名称 |
并行测量热载流子注入效应的电路 |
摘要 |
一种并行测量热载流子注入效应的电路,其特征在于,包括应力电压施加单元和由多个DUT(Device Under Test)单元组成的DUT单元列,其中所述应力电压施加单元可向所述DUT单元施加不同的应力。本发明对多个DUT分别施加不同应力电压,从而可同时对多个DUT进行并行的热载流子测试,因此效率较高。 |
申请公布号 |
CN101692449B |
申请公布日期 |
2013.05.29 |
申请号 |
CN200910197116.8 |
申请日期 |
2009.10.13 |
申请人 |
上海宏力半导体制造有限公司 |
发明人 |
高超 |
分类号 |
H01L27/02(2006.01)I;H01L21/66(2006.01)I;G01R31/26(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/02(2006.01)I |
代理机构 |
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 |
代理人 |
郑玮 |
主权项 |
一种并行测量热载流子注入效应的电路,其特征在于,包括应力电压施加单元和由多个DUT单元组成的DUT单元列,其中所述应力电压施加单元可向所述DUT单元施加不同的应力;其中,所述DUT单元包括选择端、栅极端、漏极端、衬底端及接地端;所述栅极端连接至DUT的栅极,所述漏极端连接至DUT的漏极,所述衬底端连接至DUT的衬底,所述接地端连接至DUT的源极;并且所述DUT单元还包括传输门,所述传输门用来控制栅源电压是否加载到DUT的栅极上,由所述选择端来控制;各所述DUT单元列的选择端均串联到同一个选择线,以同时测量所述DUT单元列中的各DUT的电学参数值。 |
地址 |
201203 上海市张江高科技圆区郭守敬路818号 |