发明名称 并行测量热载流子注入效应的电路
摘要 一种并行测量热载流子注入效应的电路,其特征在于,包括应力电压施加单元和由多个DUT(Device Under Test)单元组成的DUT单元列,其中所述应力电压施加单元可向所述DUT单元施加不同的应力。本发明对多个DUT分别施加不同应力电压,从而可同时对多个DUT进行并行的热载流子测试,因此效率较高。
申请公布号 CN101692449B 申请公布日期 2013.05.29
申请号 CN200910197116.8 申请日期 2009.10.13
申请人 上海宏力半导体制造有限公司 发明人 高超
分类号 H01L27/02(2006.01)I;H01L21/66(2006.01)I;G01R31/26(2006.01)I 主分类号 H01L27/02(2006.01)I
代理机构 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人 郑玮
主权项 一种并行测量热载流子注入效应的电路,其特征在于,包括应力电压施加单元和由多个DUT单元组成的DUT单元列,其中所述应力电压施加单元可向所述DUT单元施加不同的应力;其中,所述DUT单元包括选择端、栅极端、漏极端、衬底端及接地端;所述栅极端连接至DUT的栅极,所述漏极端连接至DUT的漏极,所述衬底端连接至DUT的衬底,所述接地端连接至DUT的源极;并且所述DUT单元还包括传输门,所述传输门用来控制栅源电压是否加载到DUT的栅极上,由所述选择端来控制;各所述DUT单元列的选择端均串联到同一个选择线,以同时测量所述DUT单元列中的各DUT的电学参数值。
地址 201203 上海市张江高科技圆区郭守敬路818号