通过使用倾斜掺杂物注入凹入源极/漏极区的倒掺杂阱工程改进MOS器件的短沟道效应

摘要

本发明公开了一种在其上具有栅电极的MOS器件衬底内提供光晕注入区并定义源极/漏极区的方法，一种根据以上方法制造的MOS器件以及包括该MOS器件的系统。该方法包括在衬底内其源极/漏极区处定义底切凹槽，该底切凹槽在栅电极之下延伸；在凹槽之间栅电极之下形成光晕注入区；以及在形成光晕注入区之后在底切凹槽内提供凸起的源极/漏极结构。

主权项

一种MOS器件，包括：半导体衬底；置于所述半导体衬底上的栅电极；在所述半导体衬底的栅电极之下的从所述栅电极的源极侧到漏极侧的部分底切的凹槽；置于所述栅电极的源极侧和漏极侧中仅仅一侧的不对称光晕注入区，其中通过以约20度至约50度的角度范围以及以约5keV至约60keV之间的注入能量水平实现掺杂物向凹槽的倾斜角注入来创建所述不对称光晕注入区；使用与源极/漏极区域相同类型的掺杂物进行的补偿注入，以减小寄生电容；在去除源极/漏极之后进行的掺杂物和/或中性物质的多次注入；以及从所述栅电极的源极侧到漏极侧的将所述凹槽填充到超出所述半导体衬底的高度的凸起的源极/漏极结构。