磁性薄膜及其成膜方法以及磁性薄膜的应用装置

摘要

本发明提供一种可以较低地抑制饱和磁化Ms、又可以提供高Ku的磁性薄膜及其成膜方法、以及应用该磁性薄膜的各种装置。本发明的磁性薄膜含有具有L11型的原子的有序结构的Co-M-Pt合金(所述M表示单一或者多个除Co和Pt以外的金属元素。)，例如，所述Co-M-Pt合金为Co-Ni-Pt合金，组成如下，Co为10～35(at％)，Ni为20～55(at％)、剩余部分为Pt。另外，所述磁性薄膜应用于在垂直磁记录介质、隧道磁电阻元件(TMR)、磁阻式随机存储器(MRAM)、微机电系统装置等中使用的磁性膜中。

主权项

一种磁性薄膜，其含有具有L11型原子有序结构的Co‑M‑Pt合金，其中所述M表示单一或者多个除Co和Pt以外的金属元素，所述Co‑M‑Pt合金为Co‑Ni‑Pt合金、Co‑Ni‑M2‑Pt合金、Co‑Fe‑Pt合金或Co‑Fe‑M3‑Pt合金，其中所述M2表示单一或者多个除Co、Ni和Pt以外的金属元素、所述M3表示单一或者多个除Co、Fe和Pt以外的金属元素。