发明名称 Lichtemittierende Diode mit verbesserter Lichtextrakionseffizienz
摘要 <p>Es wird eine lichtemittierende Diode mit verbesserter Lichtextraktionseffizienz offenbart. Die LED umfasst eine lichtemittierende Anordnung, die auf einem Substrat angeordnet ist und eine Halbleiterschicht vom ersten Leitfähigkeitstyp, eine aktive Schicht und eine Halbleiterschicht vom zweiten Leitfähigkeitstyp aufweist. Ein erstes Elektrodenfeld ist mit der Halbleiterschicht vom ersten Leitfähigkeitstyp elektrisch verbunden. Ein zweites Elektrodenfeld ist auf dem Substrat angeordnet. Eine reflektierende Isolierschicht bedeckt einen Teil der lichtemittierenden Anordnung und ist unter dem zweiten Elektrodenfeld so angeordnet, dass das zweite Elektrodenfeld von der lichtemittierenden Struktur beabstandet ist. Wenigstens ein oberer Fortsatz ist mit dem zweiten Elektrodenfeld so verbunden, dass er mit der Halbleiterschicht vom zweiten Leitfähigkeitstyp elektrisch verbunden ist. Weiterhin ist eine Struktur aus Lichtextraktionselementen auf der Halbleiterschicht vom zweiten Leitfähigkeitstyp angeordnet. Dementsprechend ist es möglich, die Stromausbreitung zu verbessern, um einen durch ein Elektrodenfeld bedingten Lichtverlust zu verhindern und die Lichtemissionsleistung unter Verbesserung der Lichtextraktionseffizienz zu verbessern.</p>
申请公布号 DE112011102703(T5) 申请公布日期 2013.05.29
申请号 DE201111102703T 申请日期 2011.02.19
申请人 SEOUL OPTO-DEVICE CO., LTD. 发明人 YOON, YEO JIN;KIM, JAE MOO;LEE, KEUM JU;KIM, KYOUNG WAN;YANG, JEONG HEE
分类号 H01L33/36;H01L33/00;H01L33/44 主分类号 H01L33/36
代理机构 代理人
主权项
地址