冷腔壁条件下化学气相沉积制备石墨烯的方法

摘要

本发明公开了一种冷腔壁条件下化学气相沉积制备石墨烯的方法，其具体步骤如下：1)将衬底放置在具有循环水冷却的密闭腔体中，腔壁的温度控制为室温至100℃；2)通入载气并加热衬底；3)持续通入含碳源气体5秒至30分钟；4)衬底冷却后，衬底表面可生成石墨烯。相比较目前广泛使用的热腔壁化学气相沉积法，冷腔壁化学气相沉积法加热区域只限制在衬底部位，而腔体的其他部位得到冷却，可以减少含碳源气体分解量和精确控制石墨烯的生长厚度，以至碳能够以单原子层的形式沉积在衬底表面生成单层石墨烯。本发明制备的石墨烯具有均匀性好，面积大，缺陷少，导电性能优异，机械性能好等优点。

主权项

冷腔壁条件下化学气相沉积制备石墨烯的方法，其特征在于：其具体步骤如下：1）将衬底放置在具有循环水冷却的密闭腔体中，腔壁的温度控制为室温至100℃；2）同时通入载气和还原性气体并加热衬底；所述的还原性气体为氢气；3）持续通入含碳源气体5秒至30分钟；4）衬底冷却后，衬底表面可生成石墨烯。