发明名称 |
一种 TFT 的阈值电压偏移量的测量电路、方法及设备 |
摘要 |
本发明提供一种TFT的阈值电压偏移量的测量电路、方法及设备,其中电路包括:第一开关连接薄膜晶体管的栅极和电源;第二开关连接薄膜晶体管的源极和电容;电容的另一端与薄膜晶体管的漏极连接;控制电路控制第一开关在第一预定时间段处于闭合状态,第二开关在第一预定时间段处于断开状态;控制第一开关在第一预定时间段后的第二预定时间段处于打开状态,第二开关在第二预定时间段处于闭合状态,使薄膜晶体管工作,产生第一阈值电压;重复第一开关和第二开关在第一预定时间段和第二预定时间段内的动作,得到第二阈值电压;根据第一阈值电压和第二阈值电压,得到阈值电压的偏移量。本发明可以提升对薄膜晶体管的阈值电压偏移量测量的时效性与准确度。 |
申请公布号 |
CN103117036A |
申请公布日期 |
2013.05.22 |
申请号 |
CN201310029838.9 |
申请日期 |
2013.01.25 |
申请人 |
京东方科技集团股份有限公司 |
发明人 |
徐超;张春芳;魏燕;金熙哲 |
分类号 |
G09G3/00(2006.01)I |
主分类号 |
G09G3/00(2006.01)I |
代理机构 |
北京银龙知识产权代理有限公司 11243 |
代理人 |
黄灿;安利霞 |
主权项 |
一种TFT的阈值电压偏移量的测量电路,其特征在于,包括:第一开关,用于连接薄膜晶体管的栅极和电源;第二开关,用于连接所述薄膜晶体管的源极和电容;所述电容,一端连接所述第二开关,另一端连接所述薄膜晶体管的漏极;控制电路,用于控制所述第一开关在第一预定时间段内处于闭合状态,所述第二开关在所述第一预定时间段处于断开状态,使所述电容被充电,所述薄膜晶体管的栅级被输入电源电压;并用于控制所述第一开关在所述第一预定时间段后的第二预定时间段处于打开状态,所述第二开关在所述第二预定时间段处于闭合状态,使所述电容上的电荷流向所述薄膜晶体管,使所述薄膜晶体管工作,产生第一阈值电压;所述控制电路重复控制所述第一开关和所述第二开关在所述第一预定时间段和所述第二预定时间段内的动作M次,得到第二阈值电压;所述M为大于等于1的正整数。 |
地址 |
100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 |