非挥发性记忆体之固有启始电压的测定方法

摘要

一种非挥发性记忆体之固有启始电压的测定方法，包括下列步骤。首先，提供具有控制闸极、电荷储存层、源极区与汲极区的记忆胞。然后，利用F-N穿隧效应对记忆胞进行程式化操作，以取得时间对启始电压的程式化曲线。在程式化操作中，于控制闸极施加正电压。接着，利用F-N穿隧效应对记忆胞进行抹除操作，以取得时间对启始电压的抹除曲线。在抹除操作中，于控制闸极施加负电压。正电压与负电压的绝对值相同。之后，从程式化曲线与抹除曲线的交叉点求出记忆胞的固有启始电压。