| 摘要 |
<p>본 발명의 함불소 고분자 화합물은, 일반식 (2)로 나타내는 반복 단위 (a)를 포함하고, 질량 평균 분자량 1,000∼1,000,000의 수지이다. 당해 수지는, 300nm 이하의 파장의 고에너지선 또는 전자선을 이용하여 패턴을 형성하는 레지스트 조성물, 및 액침 리소그래피에 있어서의 탑코트 조성물에 바람직하게 사용할 수 있고, 발수성, 특히 후퇴 접촉각이 큰 것을 특징으로 한다. [화학식 72](식 중, R은 중합성 이중 결합 함유기를 나타내고, R는 불소 원자 또는 함불소알킬기를 나타내고, R은 치환 혹은 비치환의 알킬기 등을 나타내며, W은 단결합, 비치환 혹은 치환 메틸렌기 등을 나타낸다.)</p> |
