抹除非易失性存储器的方法

摘要

本发明提供一种抹除非易失性存储器的方法，该方法利用源极以及漏极与衬底接触正向偏置，将衬底接触的多数载流子注入到衬底，再利用衬底与栅极间的电场加速多数载流子，使多数载流子获得能量后克服氧化层能障，以抹除非易失性存储器。

主权项

一种抹除非易失性存储器的方法，该非易失性存储器为一快闪非易失性存储器，包括一衬底、一栅极、一源极、一漏极、一电荷储存层位于该栅极以及该衬底间，以及一重掺杂的衬底接触，该方法包括下列步骤：对该栅极施加一第一电压，对该源极施加一第二电压，对该漏极施加一第三电压，以及对该衬底接触施加一第四电压，使得该源极以及该漏极与该衬底接触产生一正向偏置，该正向偏置将衬底接触的多数载流子注入到该衬底，再利用该衬底与该栅极间的电场加速多数载流子，使多数载流子获得能量后克服氧化层能障，到达该电荷储存层，以抹除该快闪非易失性存储器；其中该第一电压为负电压，该第二电压以及该第三电压为接地，该第四电压为正电压。