发明名称 |
一种用于磁控直拉单晶用MgB<sub>2</sub>超导磁体 |
摘要 |
本发明公开了一种用于磁控直拉单晶用MgB2超导磁体,包括低温容器,制冷机安装到所述低温容器上。本发明制作的磁控直拉单晶用高温超导磁体具有磁场强度高、制作成本低、系统简单、功耗小、操作容易等优点,由于硅熔体的热对流得到有效抑制,能使拉出的单晶硅具有更高的纯度和均匀性,晶体熔体界面处的氧、点缺陷及其它杂质得到了有效控制。 |
申请公布号 |
CN103106994A |
申请公布日期 |
2013.05.15 |
申请号 |
CN201310034330.8 |
申请日期 |
2013.01.29 |
申请人 |
西部超导材料科技股份有限公司 |
发明人 |
李超;闫果;梁书锦;熊小伟;葛正福;刘向宏;冯勇;张平祥 |
分类号 |
H01F6/04(2006.01)I;H01F6/06(2006.01)I;C30B15/20(2006.01)I |
主分类号 |
H01F6/04(2006.01)I |
代理机构 |
西安弘理专利事务所 61214 |
代理人 |
罗笛 |
主权项 |
一种用于磁控直拉单晶用MgB2超导磁体,其特征在于,包括低温容器,制冷机(1)安装到所述低温容器上。 |
地址 |
710018 陕西省西安市经济技术开发区明光路12号 |