发明名称 一种用于磁控直拉单晶用MgB<sub>2</sub>超导磁体
摘要 本发明公开了一种用于磁控直拉单晶用MgB2超导磁体,包括低温容器,制冷机安装到所述低温容器上。本发明制作的磁控直拉单晶用高温超导磁体具有磁场强度高、制作成本低、系统简单、功耗小、操作容易等优点,由于硅熔体的热对流得到有效抑制,能使拉出的单晶硅具有更高的纯度和均匀性,晶体熔体界面处的氧、点缺陷及其它杂质得到了有效控制。
申请公布号 CN103106994A 申请公布日期 2013.05.15
申请号 CN201310034330.8 申请日期 2013.01.29
申请人 西部超导材料科技股份有限公司 发明人 李超;闫果;梁书锦;熊小伟;葛正福;刘向宏;冯勇;张平祥
分类号 H01F6/04(2006.01)I;H01F6/06(2006.01)I;C30B15/20(2006.01)I 主分类号 H01F6/04(2006.01)I
代理机构 西安弘理专利事务所 61214 代理人 罗笛
主权项 一种用于磁控直拉单晶用MgB2超导磁体,其特征在于,包括低温容器,制冷机(1)安装到所述低温容器上。
地址 710018 陕西省西安市经济技术开发区明光路12号