用选择性外延制作底部厚栅氧化层沟槽MOS的工艺方法

摘要

本发明公开了一种用选择性外延制作底部厚栅氧化层沟槽MOS的工艺方法，包括以下步骤：第一步，形成第一轻掺杂外延层；第二步，在第一轻掺杂外延层上生长二氧化硅；第三步，形成光刻胶图形；第四步，将未被光刻胶挡住的二氧化硅刻蚀干净，露出光刻胶以外的第一轻掺杂外延层；第五步，选择性生长加横向生长第二外延层；第六步，将二氧化硅上方的外延层刻蚀干净，露出二氧化硅，形成具有底部厚栅氧化层的沟槽；第七步，在沟槽内形成栅。本发明使底部厚栅氧化层的形成变得容易，并在沟槽MOS有双层或三层外延时，能够精确控制沟槽相对外延层的位置，从而能够通过分别优化控制各层外延的掺杂浓度，使器件击穿电压和通态电阻得到优化。

主权项

一种用选择性外延制作底部厚栅氧化层沟槽MOS的工艺方法，其特征在于，包括以下步骤：第一步，在重掺杂硅衬底上生长外延层，形成第一轻掺杂外延层；第二步，在第一轻掺杂外延层上生长二氧化硅；第三步，采用光刻工艺，在二氧化硅上涂胶、光刻，形成光刻胶图形；第四步，刻蚀，将未被光刻胶挡住的二氧化硅刻蚀干净，露出光刻胶以外的第一轻掺杂外延层；然后去除光刻胶；第五步，选择性生长加横向生长第二外延层；先在露出的第一轻掺杂外延层的表面生长第二轻掺杂外延层；当第二轻掺杂外延层的厚度超过二氧化硅的厚度时，使第二轻掺杂外延层在向上生长的同时横向生长，直至合拢并完全覆盖二氧化硅；第六步，通过涂胶、光刻、干法刻蚀，将二氧化硅上方的外延层刻蚀干净，露出二氧化硅，形成具有底部厚栅氧化层的沟槽；第七步，采用沟槽MOS工艺，在沟槽内形成栅。