发明名称 一种自基底的SnO<sub>2</sub>纳米棒阵列的制备方法
摘要 本发明涉及一种自基底的SnO2纳米棒阵列的制备方法,包括:将锡源和氢氧化钠溶于水中,再加入含有表面活性剂的有机溶剂,混合均匀后,再搅拌10-50分钟,然后在100~300℃进行水热反应1~50小时;反应结束后,自然冷却至室温,过滤,洗涤,干燥即得。本发明的水热合成法对设备要求比较低,操作比较简单,容易规模化,本发明所使用的各种溶剂均对环境友好,无毒性物质产生;本发明所制备的自基底SnO2纳米棒阵列具有优异的气体-电阻敏感性能,在气体探测、场致发射微电子器件、锂离子电池电极、太阳能电池方面具有广阔的应用前景。
申请公布号 CN102275981B 申请公布日期 2013.05.08
申请号 CN201110199335.7 申请日期 2011.07.15
申请人 东华大学 发明人 胡俊青;张震宇;邹儒佳;余利;唐明华
分类号 C01G19/02(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I 主分类号 C01G19/02(2006.01)I
代理机构 上海泰能知识产权代理事务所 31233 代理人 黄志达;谢文凯
主权项 一种自基底的SnO2纳米棒阵列的制备方法,包括:将锡源SnCl4和氢氧化钠溶于水中,再加入含有表面活性剂的有机溶剂,混合均匀后,再搅拌10‑50分钟,然后在100~300℃进行水热反应1~50小时;反应结束后,自然冷却至室温,过滤,洗涤,干燥即得;所述的表面活性剂为十二烷基硫酸钠,浓度为0.1~1mol/L。
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