发明名称 |
用三重态管理器的有机半导体激光器 |
摘要 |
本公开涉及用三重态管理器的有机半导体激光器。本发明提供第一装置。所述装置包括有机半导体激光器。所述有机半导体激光器进一步包括光学共振腔及布置在所述光学共振腔内的有机层。所述有机层包括:有机主体化合物;能够荧光发射的有机发光化合物;以及有机掺杂剂化合物。所述有机掺杂剂化合物在此也可以称为“三重态管理器”。所述有机掺杂剂化合物的三重态能量低于或等于所述有机主体化合物的三重态能量。所述有机掺杂剂化合物的所述三重态能量低于或等于所述有机发光化合物的三重态能量。所述有机发光化合物的单重态能量低于或等于所述有机主体化合物的单重态能量。 |
申请公布号 |
CN103094836A |
申请公布日期 |
2013.05.08 |
申请号 |
CN201210417365.5 |
申请日期 |
2012.10.26 |
申请人 |
密执安州立大学董事会 |
发明人 |
S·R·弗里斯特;张一帆 |
分类号 |
H01S5/30(2006.01)I;H01S5/10(2006.01)I |
主分类号 |
H01S5/30(2006.01)I |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 |
代理人 |
曹瑾 |
主权项 |
一种第一装置,其进一步包括:有机半导体激光器,其进一步包括:光学共振腔;布置在所述光学共振腔内的有机层,所述有机层包括:有机主体化合物;能够荧光发射的有机发光化合物;以及有机掺杂剂化合物;其中:所述有机掺杂剂化合物的三重态能量低于或等于所述有机主体化合物的三重态能量;所述有机掺杂剂化合物的所述三重态能量低于或等于所述有机发光化合物的三重态能量;所述有机发光化合物的单重态能量低于或等于所述有机主体化合物的单重态能量。 |
地址 |
美国密执安 |