| 发明名称 | 一种用于制造发光器件的硅基组合衬底 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种用于制造发光器件的硅基组合衬底，其包括：单晶硅片；在单晶硅片上有一层非晶氮化硅层，非晶氮化硅层的厚度优选为200～800nm；在非晶氮化硅层上有一层单晶氮化硅薄膜，单晶氮化硅薄膜包括多个周期性排列的阵列单元，单晶氮化硅薄膜的厚度优选为10～30nm，每个阵列单元的尺寸优选为200×200nm2～1000×1000nm2，每个阵列单元之间的间隔优选为50～300nm。本发明的组合衬底具有加工方便，成本低廉的特点。同时生长的GaN外延层中位错密度非常低，可大面积生长较大厚度的GaN外延层。 | ||
| 申请公布号 | CN103094438A | 申请公布日期 | 2013.05.08 |
| 申请号 | CN201210442120.8 | 申请日期 | 2012.11.07 |
| 申请人 | 江苏威纳德照明科技有限公司 | 发明人 | 虞浩辉;周宇杭 |
| 分类号 | H01L33/12(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/12(2010.01)I |
| 代理机构 | 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 | 代理人 | 黄明哲 |
| 主权项 | 一种用于制造发光器件的硅基组合衬底，其特征在于，所述组合衬底包括：单晶硅片；在单晶硅片上有一层非晶氮化硅层，非晶氮化硅层的厚度优选为200～800nm；在非晶氮化硅层上有一层单晶氮化硅薄膜，单晶氮化硅薄膜包括多个周期性排列的阵列单元，单晶氮化硅薄膜的厚度优选为10～30nm，每个阵列单元的尺寸优选为200×200nm2～1000×1000nm2，每个阵列单元之间的间隔优选为50～300nm。 | ||
| 地址 | 213342 江苏省常州市溧阳市社渚镇创新路8号 | ||