具有能量回收的半导体制作的系统和方法

摘要

本发明可以在半导体加工操作过程中通过使用其上具有辐射屏蔽层的钟罩提供或促进能量回收操作，所述辐射屏蔽层由配置在所述钟罩的内表面上的含有镍的中间层和配置在所述中间层上的可以包括金层的反射层构成。所述反射层具有小于5%的发射率，更优选地，所述反射层具有小于约1%的发射率。来自反应室的热量可以用于减少一个或多个其他单元操作的热负荷。

主权项

一种半导体材料制作设施的化学气相沉积系统，所述化学气相沉积系统包括：反应室，所述反应室具有底板和可紧固到所述底板上的钟罩，所述钟罩包括辐射屏蔽层，所述辐射屏蔽层由配置在所述钟罩的内表面上的镍层和配置在所述镍层上的金层构成，所述钟罩还包括冷却管道，所述冷却管道具有管道入口和管道出口，所述冷却管道与所述辐射屏蔽层热通信；以及热交换器，所述热交换器在其第一热侧面与所述冷却管道流体连接并且进一步地在其第二热侧面与所述半导体材料制作设施的至少一个单元操作流体连接。