半导体器件的制作方法

摘要

本发明提供一种半导体器件的制作方法，通过在形成的栅极结构上形成第一应力层，并去除位于栅极结构上方的第一应力层，接着沉积具有高密度特性的第二应力层，第二应力层产生的压应力直接作用于栅极结构，对栅极结构产生向下的压力，大于第一应力层对栅极结构产生的拉力，从而第二应力层产生的向下的压力使沿着沟道长度方向产生的单轴拉伸应变增大，进一步增加电子迁移率；同时，第二应力层产生的压应力在退火工艺期间束缚了栅极结构的形变，进一步改善了栅极结构的性能。

主权项

一种半导体器件的制作方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底中形成栅极结构，并在所述栅极结构两侧的半导体衬底中形成源极和漏极；在所述半导体衬底和栅极结构上依次形成第一应力层和氧化层；进行化学机械研磨，直至暴露所述栅极结构；去除所述氧化层；在所述栅极结构和第一应力层上形成第二应力层，所述第二应力层的材质为高密度氮化硅；进行热退火工艺；去除所述第一应力层和第二应力层。