一种抛光基材的方法

摘要

本发明提供了一种使用化学机械抛光组合物浓缩物的多种稀释液以抛光基材，对包含过载地沉积在二氧化硅上的多晶硅的基材进行化学机械抛光的方法，其中，用于抛光基材的所述浓缩物的第一稀释液被调节得具有第一多晶硅去除速率和第一多晶硅对二氧化硅的去除速率选择性；以及，用于抛光基材的所述浓缩物的第二稀释液被调节得具有第二多晶硅去除速率和第二多晶硅对二氧化硅的去除速率选择性。

主权项

1.一种用来对基材进行化学机械抛光的方法，该方法包括：提供基材，所述基材包含在二氧化硅上过载地沉积的多晶硅；提供化学机械抛光组合物浓缩物，所述化学机械抛光组合物浓缩物主要由以下组分组成：水；0.1-25重量％的平均粒径≤100纳米的胶态二氧化硅磨粒；0.01-1重量％的式（I）所示的双季铵阳离子：其中，R¹是C₂-C₆烷基，并且R²、R³、R⁴、R⁵、R⁶和R⁷各自独立地选自C₂-C₆烷基；提供第一稀释剂；提供第二稀释剂；向所述化学机械抛光组合物浓缩物的第一部分中加入所述第一稀释剂以形成第一抛光制剂，所述第一抛光制剂的pH值为>4.2至11，所述第一抛光制剂被调节得具有以下性质：且第一多晶硅对二氧化硅的去除速率选择性为20:1-600:1；提供化学机械抛光垫;在化学机械抛光垫和基材之间的界面处建立动态接触；将所述第一抛光制剂分配到化学机械抛光垫和基材之间的界面处或者界面附近的化学机械抛光垫上；从基材上除去过载的多晶硅；向所述化学机械抛光组合物浓缩物的第二部分中加入所述第二稀释剂以形成第二抛光制剂，所述第二抛光制剂的pH值为2-4.2，所述第二抛光制剂被调节得具有以下性质：且第二多晶硅对二氧化硅的去除速率选择性为1:2-10:1；将所述第二抛光制剂分配到化学机械抛光垫和基材之间的界面处或者界面附近的化学机械抛光垫上；并且从基材上进一步除去至少一部分多晶硅和除去至少一部分二氧化硅。