发明名称 Apparatus for atmospheric pressure chemical vapor deposition
摘要 <p>본 발명은 상압 화학기상증착장치에 관한 것이다. 본 발명에 따른 상압 화학기상증착장치는, 반도체 소자 상에 화합물 가스와 반응 가스를 각각 분사하는 인젝터부와, 상기 인젝터부의 양 측에 구비되어 상기 반응 공간과 접하는 수직방향의 하부면이 개방되어 있는 반응 가스 배기부를 포함하는 상압 화학기상증착장치고, 상기 인젝터부는, 상기 화합물 가스 및 상기 반응 가스를 분배하는 다수의 분배관이 수용되어 있는 수용부; 및 상기 수용부의 하부에 형성되고, 상기 화합물 가스 및 상기 반응 가스가 통과하는 다수의 층을 구비하여 상기 화합물 가스 및 상기 반응 가스가 수평방향으로 균일하게 배열되도록 하며, 상기 반도체 소자의 상면에 상기 화합물 가스 및 상기 반응 가스를 분사하는 분사부를 포함하되, 상기 분사부의 내부에는, 상기 화합물 가스가 통과하는 화합물 분사홀과, 상기 화합물 분사홀의 양측에 서로 대칭되도록 형성되고 그 끝단이 상기 화합물 분사홀의 방향으로 경사지도록 절곡 형성되어 상기 반응 가스가 통과하는 제1 반응가스홀과, 상기 화합물 분사홀과 상기 제1 가스분사홀 사이에 형성되어 상기 반응 가스가 통과하는 제2 가스분사홀이 구비되어 있다.</p>
申请公布号 KR101261269(B1) 申请公布日期 2013.05.07
申请号 KR20110034279 申请日期 2011.04.13
申请人 发明人
分类号 C23C16/44;C23C16/455;H01L21/205 主分类号 C23C16/44
代理机构 代理人
主权项
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