一种50nm及以下的硅栅结构的制作方法

摘要

本发明公开了一种50nm及以下的硅栅结构的制作方法，该方法先制作出100nm左右的粗硅栅，然后再经过二次处理形成50nm及以下尺寸的硅栅结构。该方法工艺简单，降低了细光栅制作过程中对光刻工艺的难度要求，解决了器件可重复性制作问题，提高了器件的成品率。

主权项

一种50nm及以下的硅栅结构的制作方法，其特征在于，该方法先制作出100nm的粗硅栅，然后再经过二次处理形成50nm及以下尺寸的硅栅结构；其中，所述二次处理是通过高温氧化的方法将部分硅变为氧化硅，实现硅栅条尺寸的缩小，再通过腐蚀去除氧化硅层实现50nm及以下的硅栅结构。