发明名称 一种光学成像器件结构
摘要 本发明公开了一种光学成像器件结构,该结构是由多个结构完全相同的成像器件构成的成像阵列,该多个成像器件被分为若干组,每一组中的成像器件具有相同的数目和相同的排列结构,且每组成像器件均包括一个参考单元和至少一个成像单元,该参考单元和成像单元是结构完全相同的成像器件,每组成像器件中的参考单元和成像单元相距近,工艺偏差小,在执行复位、成像、读取操作时受到的共模干扰相同。本发明通过略微增加光学传感器内部成像器件的面积,避免了工艺失配、复位、成像和读取操作引入的共模噪声和非线性影响,获得了更加接近实际的光学信息。
申请公布号 CN102214663B 申请公布日期 2013.05.01
申请号 CN201010145203.1 申请日期 2010.04.09
申请人 中国科学院微电子研究所 发明人 冀永辉;丁川;刘明;王琴;龙世兵;闫锋
分类号 H01L27/146(2006.01)I 主分类号 H01L27/146(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 周国城
主权项 一种光学成像器件结构,其特征在于,该结构是由多个结构完全相同的成像器件构成的成像阵列,该多个成像器件被分为若干组,每一组中的成像器件具有相同的数目和相同的排列结构,且每组成像器件均包括一个参考单元和至少一个成像单元,该参考单元和成像单元是结构完全相同的成像器件,每组成像器件中的参考单元和成像单元相距近,工艺偏差小,在执行复位、成像、读取操作时受到的共模干扰相同;其中,所述成像器件是基于传统的浮栅型成像器件结构,由硅衬底(B)、源极(S)、漏极(D)、浮动栅极(FG)、控制栅极(CG)构成,其中,硅衬底(B)位于器件最下层;源极(S)和漏极(D)位于硅衬底(B)上,且相距一定距离;浮动栅极(FG)位于器件结构的中间层,在硅衬底之上,且在源极(S)和漏极(D)之间;控制栅极(CG)位于器件结构的最上层,在浮动栅极(FG)之上;该硅衬底(B)与该浮动栅极(FG)之间,以及该浮动栅极(FG)与该控制栅极(CG)之间都采用绝缘层隔离。
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