| 发明名称 | Sr-Ti-O系膜的成膜方法和存储媒介 | ||
| 摘要 | 本发明提供Sr-Ti-O系膜的成膜方法，以膜中的Sr与Ti的比率Sr/Ti按原子数比计为1.2～3的方式进行成膜后，在含有0.001％～80％的O2的气氛中，在500℃以上进行退火。此外，以包含将多个SrO膜成膜阶段和多个TiO膜成膜阶段多次连续进行这样的次序的方式，多次进行上述SrO膜成膜阶段和上述TiO膜成膜阶段。进而，在使Sr吸附后、使Sr氧化时，使用O3和H2O作为氧化剂。 | ||
| 申请公布号 | CN101971303B | 申请公布日期 | 2013.05.01 |
| 申请号 | CN200880103167.3 | 申请日期 | 2008.09.02 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社;尔必达存储器株式会社 | 发明人 | 河野有美子;有马进;柿本明修;广田俊幸;清村贵利 |
| 分类号 | H01L21/316(2006.01)I;C23C16/40(2006.01)I;H01L21/8242(2006.01)I;H01L27/108(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/316(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 蒋亭;苗堃 |
| 主权项 | 一种Sr‑Ti‑O系膜的成膜方法，是在基板上形成Sr‑Ti‑O系膜的Sr‑Ti‑O系膜的成膜方法，包括：在处理容器内配置基板，加热基板，在对基板进行加热的状态下，以膜中的Sr与Ti的比率Sr/Ti按原子数比计为2.2～3的方式，将气体状的Ti原料、气体状的Sr(C5(CH3)5)2原料和气体状的氧化剂导入所述处理容器内，在所述处理容器内将Sr‑Ti‑O系膜形成于基板上，在含有0.001％～80％的O2的气氛中，在500℃以上对成膜后的基板进行退火，所述Sr‑Ti‑O系膜中的Ti移动到表面。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||