发明名称 |
在衬底上沉积多层材料层的方法及化学气相沉积设备 |
摘要 |
本发明公开了一种在衬底上沉积多层材料层的方法及化学气相沉积设备。采用了多个生长腔室,将沉积的多层材料层分在多个生长腔室内进行,至少两个生长腔室用于生长多层材料层的不同层材料层,如此一方面使得不同的生长腔室能够很容易满足不同材料层生长的温度、压强等条件不同的需要,有利于各层材料层的正常生长;另一方面,各个生长腔室可以较佳的控制反应时间,从而使得生产过程中尽可能的避免某一或某些腔室处于等待状态的问题,大大的提高了生产效率。 |
申请公布号 |
CN103074616A |
申请公布日期 |
2013.05.01 |
申请号 |
CN201210578613.4 |
申请日期 |
2012.12.26 |
申请人 |
光达光电设备科技(嘉兴)有限公司 |
发明人 |
梁秉文 |
分类号 |
C23C16/52(2006.01)I;C23C16/54(2006.01)I |
主分类号 |
C23C16/52(2006.01)I |
代理机构 |
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 |
代理人 |
郑玮 |
主权项 |
一种在衬底上沉积多层材料层的方法,利用具有多个生长腔室的化学气相沉积设备进行,其特征在于,包括:步骤一:将一批基片通过一个基座共同传送至第一生长腔室中,在所述第一生长腔室中对所述基片沉积第一材料层;步骤二:将所述第一生长腔室中的基片和基座共同传送至第二生长腔室中,在所述第二生长腔室中对所述基片沉积第二材料层;然后,将另一批基片通过另一个基座共同传送至所述第一生长腔室中,并在所述第一生长腔室中对所述基片沉积第一材料层;步骤三:将所述第二生长腔室中的基片和基座共同取出所述第二生长腔室,然后执行步骤二。 |
地址 |
314300 浙江省嘉兴市海盐县盐北路211号科创园西区1号楼3楼 |