| 发明名称 | 半导体装置用薄膜以及半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种带有切割片的胶粘薄膜，将在切割薄膜（11）上层叠有胶粘薄膜（12）的带有切割片的胶粘薄膜（1）以预定的间隔层叠在覆盖薄膜（2）上而得到半导体装置用薄膜（10），将半导体装置用薄膜（10）卷绕为卷筒状时可以保持转印痕迹的抑制功能并且覆盖薄膜的前端伸出（引出）容易，可靠性优良。本发明的半导体装置用薄膜，在切割薄膜上层叠有胶粘薄膜的带有切割片的胶粘薄膜以预定的间隔层叠在覆盖薄膜上而得到，其中，23℃下切割薄膜的拉伸储能模量Ea与23℃下覆盖薄膜的拉伸储能模量Eb之比Ea/Eb在0.001～100的范围内。 | ||
| 申请公布号 | CN103081069A | 申请公布日期 | 2013.05.01 |
| 申请号 | CN201180042800.4 | 申请日期 | 2011.08.29 |
| 申请人 | 日东电工株式会社 | 发明人 | 天野康弘;木村雄大 |
| 分类号 | H01L21/301(2006.01)I;C09J7/02(2006.01)I;C09J201/00(2006.01)I;H01L21/52(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/301(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 王海川;穆德骏 |
| 主权项 | 一种半导体装置用薄膜，将在切割薄膜上层叠有胶粘薄膜的带有切割片的胶粘薄膜以预定的间隔层叠在覆盖薄膜上而得到，其特征在于，23℃下切割薄膜的拉伸储能模量Ea与23℃下覆盖薄膜的拉伸储能模量Eb之比Ea/Eb在0.001～100的范围内。 | ||
| 地址 | 日本大阪 | ||