发明名称 一种P型硅衬底的双PIN结双面太阳能电池
摘要 本发明公开了一种P型硅衬底的双PIN结双面太阳能电池,包括P型硅衬底,P型硅衬底上下两个表面上均制成绒面,P型硅衬底上表面的绒面上高温磷扩散掺杂,并自下而上依次隔离层I、N型掺杂层、隔离层I和N-型掺杂层四层结构;最上一层再用PECVD技术实现SiN减反射膜;其中要在最后实行埋电极与输出极的制备;P型硅衬底下表面绒面上自上而下进行背面的高温硼扩散掺杂,依次形成隔离层I、P型掺杂层、P+型掺杂层的三层结构。
申请公布号 CN103066147A 申请公布日期 2013.04.24
申请号 CN201210594986.0 申请日期 2012.12.28
申请人 浙江金贝能源科技有限公司 发明人 韩元杰;李新富;吴鹏飞;张冰;章志娟
分类号 H01L31/077(2012.01)I;H01L31/0352(2006.01)I 主分类号 H01L31/077(2012.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种P型硅衬底的双PIN结双面太阳能电池,其特征在于:包括P型硅衬底,P型硅衬底上下两个表面上均设有绒面,在P型硅衬底上表面的绒面上进行高温磷扩散掺杂,并自下而上依次形成隔离层I、N型掺杂层、隔离层I和N‑型掺杂层四层结构;最上一层再用PECVD技术实现SiN减反射膜;其中要在最后实行埋电极与输出极的制备;P型硅衬底下表面绒面上进行背面的高温硼扩散掺杂,自上而下依次形成隔离层I、P型掺杂层、P+型掺杂层的三层结构。
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