发明名称 |
一种P型硅衬底的双PIN结双面太阳能电池 |
摘要 |
本发明公开了一种P型硅衬底的双PIN结双面太阳能电池,包括P型硅衬底,P型硅衬底上下两个表面上均制成绒面,P型硅衬底上表面的绒面上高温磷扩散掺杂,并自下而上依次隔离层I、N型掺杂层、隔离层I和N-型掺杂层四层结构;最上一层再用PECVD技术实现SiN减反射膜;其中要在最后实行埋电极与输出极的制备;P型硅衬底下表面绒面上自上而下进行背面的高温硼扩散掺杂,依次形成隔离层I、P型掺杂层、P+型掺杂层的三层结构。 |
申请公布号 |
CN103066147A |
申请公布日期 |
2013.04.24 |
申请号 |
CN201210594986.0 |
申请日期 |
2012.12.28 |
申请人 |
浙江金贝能源科技有限公司 |
发明人 |
韩元杰;李新富;吴鹏飞;张冰;章志娟 |
分类号 |
H01L31/077(2012.01)I;H01L31/0352(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/077(2012.01)I |
代理机构 |
|
代理人 |
|
主权项 |
一种P型硅衬底的双PIN结双面太阳能电池,其特征在于:包括P型硅衬底,P型硅衬底上下两个表面上均设有绒面,在P型硅衬底上表面的绒面上进行高温磷扩散掺杂,并自下而上依次形成隔离层I、N型掺杂层、隔离层I和N‑型掺杂层四层结构;最上一层再用PECVD技术实现SiN减反射膜;其中要在最后实行埋电极与输出极的制备;P型硅衬底下表面绒面上进行背面的高温硼扩散掺杂,自上而下依次形成隔离层I、P型掺杂层、P+型掺杂层的三层结构。 |
地址 |
311500 浙江省杭州市桐庐县桐庐经济开发区石珠路288号 |