发明名称 |
尺寸性二氧化硅基多孔硅结构及其制造方法 |
摘要 |
本发明考虑了制造含多孔硅层的尺寸性二氧化硅基基材或结构的方法。根据一个实施方式,通过在加热的惰性气氛中使金属气体与二氧化硅玻璃基材反应,将氧从所述基材的原子元素组成中提取出来,以沿着所述基材的表面形成金属-氧复合物。将所述金属-氧复合物从所述二氧化硅玻璃基材的表面除去以产生晶体多孔硅表面部分,并在所述二氧化硅玻璃基材的晶体多孔硅表面部分上形成一层或多层附加层以产生含所述多孔硅层的尺寸性二氧化硅基基材或结构。还考虑了其它实施方式,其中所述基材是玻璃基的玻璃基材,而不一定是二氧化硅基的玻璃基材。本发明还描述了其他的实施方式,并要求专利保护。 |
申请公布号 |
CN103069055A |
申请公布日期 |
2013.04.24 |
申请号 |
CN201180040775.6 |
申请日期 |
2011.08.11 |
申请人 |
康宁股份有限公司 |
发明人 |
R·A·贝尔曼;N·F·伯雷利;D·A·德纳卡;S·M·奥马利;V·M·施耐德 |
分类号 |
C25D11/32(2006.01)I |
主分类号 |
C25D11/32(2006.01)I |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 31100 |
代理人 |
朱黎明 |
主权项 |
一种制造含多孔硅层的尺寸性二氧化硅基基材或结构的方法,所述方法包括:提供二氧化硅玻璃基材;通过在加热的惰性气氛中使金属气体与所述二氧化硅玻璃基材反应,将氧从所述二氧化硅玻璃基材的原子元素组成中提取出来,以沿着所述二氧化硅玻璃基材的表面形成金属‑氧复合物,其中将所述惰性气氛加热至足以促进所述氧提取的反应温度;从所述二氧化硅玻璃基材的表面除去所述金属‑氧复合物,以产生所述二氧化硅玻璃基材的晶体多孔硅表面部分;以及在所述二氧化硅玻璃基材的晶体多孔硅表面部分上形成一层或多层附加层,以产生含所述多孔硅层的尺寸性二氧化硅基基材或结构。 |
地址 |
美国纽约州 |