半导体器件和可编程的非易失性存储设备

摘要

本实用新型提供了半导体器件和可编程的非易失性存储设备。根据一个示例性实施方式，半导体器件包括位于第一半导体鳍中的沟道、源极、以及漏极。沟道位于源极与漏极之间。半导体器件还包括位于第二半导体鳍中的控制栅极。浮置栅极位于第一半导体鳍与第二半导体鳍之间。半导体器件还可以包括位于浮置栅极与第一半导体鳍之间的第一介电区域和位于浮置栅极与第二半导体鳍之间的第二介电区域。

主权项

一种半导体器件，其中，所述半导体器件包括： 沟道、源极、和漏极，位于第一半导体鳍中，所述沟道位于所述源极与所述漏极之间； 控制栅极，位于第二半导体鳍中； 浮置栅极，位于所述第一半导体鳍与所述第二半导体鳍之间。