直拉单晶炉硅液面位置控制方法及装置

摘要

本发明实施例公开了一种直拉单晶炉硅液面位置控制方法，包括：步骤A：预先存储直拉单晶炉的观测窗口与硅液面的目标距离值；步骤B：测量所述观测窗口与硅液面的实际距离值；步骤C：比较所述目标距离值和所述实际距离值并得到比较值，根据所述比较值控制马达的速度。本发明实施例中的方法通过检测窗口与硅液面的距离进行实时调整马达的速度进而控制坩埚的跟随比，使得单晶体在生长过程中保持在合适的生长环境，保证晶体质量。本发明实施例还公开了一种直拉单晶炉硅液面位置控制装置。

主权项

一种直拉单晶炉硅液面位置控制方法，其特征在于，包括：步骤A：预先存储直拉单晶炉的观测窗口与硅液面的目标距离值；步骤B：利用激光测距仪直接测量所述观测窗口与硅液面的实际距离值；步骤C：比较所述目标距离值和所述实际距离值并得到比较值，根据所述比较值控制马达的速度，所述马达包括低速马达和高速马达。