Verfahren zur Schaffung einer Verbindung eines Leistungshalbleiterchips mit oberseitigen Potentialflächen zu Dickdrähten

摘要

Verfahren zur Schaffung einer Verbindung eines Leistungshalbleiterchips mit oberseitigen Potentialflächen zu Dickdrähten oder Bändchen mit den Schritten: – Bereitstellen eines der Formgebung der oberseitigen Potentialflächen entsprechenden metallischen Formkörpers, – Aufbringen einer Verbindungsschicht auf die oberseitigen Potentialflächen oder den metallischen Formkörper, und – Aufbringen des metallischen Formkörpers und Fügen einer stoffschlüssigen, elektrisch leitenden Verbindung mit den Potentialflächen vor einem Dickdraht-Bonden auf der nicht gefügten Oberseite des Formkörpers.