VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES PHOTOVOLTAISCHEN ELEMENTS MIT EINER SILIZIUMDIOXIDSCHICHT

摘要

Diese Erfindung bezieht sich auf die Herstellung eines photovoltaischen Elements, insbesondere einer Solarzelle. Dabei wird eine zusätzliche Siliziumdioxidschicht verwendet, die durch eine UV-Bestrahlung mit einer Wellenlänge unter 200 nm erzeugt wird und die Grenzflächeneigenschaften auf dem Silizium verbessern und unter dem Begriff "background plating" bekannte Störungen vermindern helfen kann.