锗硅HBT器件的集电区引出结构及其制造方法

摘要

本申请公开了一种锗硅HBT器件的集电区引出结构，包括集电区电极；还包括多晶硅填充结构，其顶面接触集电区电极的底面，其侧面接触集电区。所述多晶硅填充结构对称分布于集电区两侧的隔离区及其下方的衬底中。所述多晶硅填充结构分为下层的第一填充多晶硅和上层的第二填充多晶硅两部分，均掺杂有与衬底相反类型的杂质。所述第一填充多晶硅靠近有源区一侧的侧壁与底面之间呈锐角。多晶硅填充结构的深度＞集电区的深度＞第二填充多晶硅的深度＞隔离区的深度。第一填充多晶硅的杂质的扩散性强于第二填充多晶硅，或者第一填充多晶硅的掺杂浓度高于第二填充多晶硅。本申请还公开了其制造方法。本申请对锗硅HBT器件可保持较高的击穿电压和较低的饱和压降。

主权项

一种锗硅HBT器件的集电区引出结构，包括集电区电极；其特征是，还包括多晶硅填充结构，其顶面接触集电区电极的底面，其侧面接触集电区；所述多晶硅填充结构对称分布于集电区两侧的隔离区及其下方的衬底中；所述多晶硅填充结构分为下层的第一填充多晶硅和上层的第二填充多晶硅两部分，均掺杂有与衬底相反类型的杂质；所述第一填充多晶硅靠近有源区一侧的侧壁与底面之间呈锐角；多晶硅填充结构的深度＞集电区的深度＞第二填充多晶硅的深度＞隔离区的深度；第一填充多晶硅的杂质的扩散性强于第二填充多晶硅，或者第一填充多晶硅的掺杂浓度高于第二填充多晶硅。