发明名称 |
一种高性能K<sub>0.5</sub>Na<sub>0.5</sub>NbO<sub>3</sub>-LiSbO<sub>3</sub>-BiScO<sub>3</sub>无铅压电陶瓷 |
摘要 |
本发明公开了一种高性能的K0.5Na0.5NbO3-LiSbO3-BiScO3无铅压电陶瓷,它是在K0.5Na0.5NbO3-LiSbO3中添加BiScO3经传统陶瓷烧结工艺制成,组成通式为(1-x-y)(K0.5Na0.5)NbO3-xLiSbO3-yBiScO3,式中x、y表示陶瓷体系中摩尔含量,其中0<x≤0.1,0<y≤0.01。通过选择适当的x、y值及在烧结时,以120℃/h的升温速度到500℃保温2h,再以120℃/h的升温速度到1060~1150℃保温1~9h烧结。烧结后,随炉冷却至室温。得到的无铅压电陶瓷的压电常数d33突破300pC/N,平面机电耦合系数kp可达0.52以上,机械品质因素Qm可达54.00,常温下介电常数εr可达1742,介电损耗(tanθ)低于2.5%。 |
申请公布号 |
CN101747038B |
申请公布日期 |
2013.04.17 |
申请号 |
CN200910114460.6 |
申请日期 |
2009.09.30 |
申请人 |
桂林电子科技大学 |
发明人 |
江民红;刘心宇;邓满姣;唐焕丽 |
分类号 |
C04B35/495(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I |
主分类号 |
C04B35/495(2006.01)I |
代理机构 |
桂林市华杰专利商标事务所有限责任公司 45112 |
代理人 |
罗玉荣 |
主权项 |
一种K0.5Na0.5NbO3–LiSbO3–BiScO3无铅压电陶瓷的制备方法,包括湿磨、烘干、烧成、二次球磨、造粒、压制成型、烧结、打磨、披银和硅油中极化,其特征是:它是在K0.5Na0.5NbO3‑LiSbO3中添加BiScO3;在烧结时以120℃/h的升温速度到500℃保温2h,再以120℃/h的升温速度到1060~1150℃保温1~9h烧结,烧结后,随炉冷却至室温;所述K0.5Na0.5NbO3‑LiSbO3中添加BiScO3的组成通式为(1‑x‑y)(K0.5Na0.5)NbO3–x LiSbO3–yBiScO3,式中x、y表示陶瓷体系中摩尔含量,其中,0<x≤0.1,0<y≤0.01。 |
地址 |
541004 广西壮族自治区桂林市金鸡路1号 |