LDMOS晶体管及其制作方法

摘要

本发明提供了一种LDMOS晶体管及其制作方法，通过在其源区、漏区之间设置多个STI结构，提高了晶体管的击穿电压，避免了STI结构宽度尺寸扩大时其底部区域突起的问题；在现有LDMOS晶体管制作工艺的基础上，本发明中LDMOS晶体管的制作没有增加额外的制造工艺，降低了制作的复杂程度；形成多个STI结构之后，后续的制作工艺不需变更，避免了影响位于同一半导体衬底上的其他器件某些特性的可能；也能避免影响该晶体管本身的一些特性。

主权项

一种LDMOS晶体管，其特征在于，包括：半导体衬底，所述半导体衬底内设有漂移区、与所述漂移区存在间距的阱区；位于所述阱区内的源区；位于所述漂移区内的漏区、至少两个STI结构，所述STI结构均位于所述漏区与所述源区之间，距离所述漏区最远的STI结构与所述漂移区的远离所述漏区的一侧存在间距；位于所述半导体衬底上的栅极，所述栅极的一侧延伸至所述源区上方，另一侧延伸至靠近所述源区的STI结构的上方。