| 发明名称 | 具有降低的卤化物含量的烷氧基硅烷的制备方法 | ||
| 摘要 | 公开了降低烷氧基硅烷内残留的卤化物含量的方法。该方法包括使具有残留的卤化物含量的烷氧基硅烷与活性炭接触，接着分离烷氧基硅烷。所得材料可用作制备其他化合物的中间体和在电子应用中使用。 | ||
| 申请公布号 | CN101437830B | 申请公布日期 | 2013.04.17 |
| 申请号 | CN200780015951.4 | 申请日期 | 2007.05.31 |
| 申请人 | 陶氏康宁公司 | 发明人 | S·P·弗古森;W·X·巴加扎;E·B·奥杜恩拉米 |
| 分类号 | C07F7/20(2006.01)I | 主分类号 | C07F7/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 张钦 |
| 主权项 | 一种制备具有降低的卤化物含量的烷氧基硅烷的方法，该方法包括：(a)使含用化学式RaHbSi(OR1)(4‑a‑b)表示的烷氧基硅烷、残留的卤化物和溶剂的混合物与活性炭接触，其中，溶剂是醇，每一R独立地选自含1‑20个碳原子的取代和未取代的烃基，每一R1独立地选自含1‑4个碳原子的烃基，a＝0、1、2或3，b＝0、1、2或3，和a+b＝0‑3；和(b)分离烷氧基硅烷与活性炭。 | ||
| 地址 | 美国密执安 | ||